UN-DDR5-5600B-64G-2Rx4-R-2 (64GB 2Rx4 DDR5-5600B(CAS-46-45-45) SAMSUNG&HYNIX RDIMM Memory Module(CTO&BTO))
Комплект интеллектуальной памяти 64 ГБ (1x64 ГБ) Dual Rank x4 DDR5‑5600. Интеллектуальная память предназначена для клиентов от малого до крупного бизнеса, которым требуется высокая производительность и емкость, а также управление совокупной стоимостью владения.
В ожидание
0 штИнтеллектуальная память обеспечивает оптимизацию памяти сервера в целом, работает с максимальной скоростью и является одним из самых энергоэффективных доступных видов памяти. Помимо производительности и эффективности, интеллектуальная память отличается надежностью. Сейчас, как никогда ранее, качество DRAM имеет решающее значение, поскольку такие тенденции в центрах обработки данных, как виртуализация серверов, облачные вычисления и использование крупных баз данных, увеличили потребность в памяти большей ёмкости с более длительным временем безотказной работы. Интеллектуальная память проходит тщательную квалификацию и тестирование, которые открывают доступ к функциям производительности памяти, доступным только на серверах HPE.
Серверная оперативная память Samsung способна обеспечить быструю и стабильную обработку различных приложений при экономичном потреблении энергии. Память стандарта DDR5 обладает емкостью 64 ГБ и работает на тактовой частоте с показателем 5600 МГц. Технология ECC за счет автоматического распознавания и устранения ошибок повышает стабильность функционирования памяти. Благодаря небольшой высоте планки память Samsung совместима с большим количеством комплектующих разных производителей и гарантирует простоту установки.
| Частота функционирования, МГц | 5600MHz |
| Тип оперативной памяти | DDR5 |
| Объем модуля DRAM, Гб | 64 |
| Поддержка ECC памяти | Да |
| Регистровая память | Да |
| Потребляемая мощность, Вт | 1.1 |
| Ранговость | 2 |
| Количество банков памяти | 4 |